O que é um Canal N (MOSFET Canal N)?

O Canal N (ou MOSFET Canal N) é um transistor de efeito de campo de alta eficiência chaveador cujos portadores de corrente elétrica majoritários são elétrons livres (cargas de polaridade negativa), operado para comutar cargas elétricas na linha de terra elétrico.

Chaveamento Eficiente de Alta Corrente na Automação

Muito usado em substituição ao Módulo Relé 1 Canal para chavear cargas em frequências PWM elevadas com menor consumo:

• Operação por Tensão: O MOSFET conduz corrente entre o Dreno (D) e o Source (S) quando uma tensão positiva apropriada (Vgs) é aplicada na porta lógica Gate (G).
• Vantagem do Canal N: Como a mobilidade dos elétrons livres é maior que a de lacunas de carga positiva, transistores Canal N possuem resistências elétricas internas (Rds-on) muito baixas.
• Chaveamento Low-Side: Utilizado na eletrônica conectando a carga elétrica entre o polo positivo da fonte de alimentação e o dreno do MOSFET, aterrando a carga ao ativar.

Escolher MOSFETs do tipo 'Logic Level' garante que a porta digital de 5V do Arduino sature totalmente o transistor.

Perguntas Frequentes (FAQ)

O que é a resistência Rds(on) de um MOSFET Canal N?

É a resistência de condução interna entre o dreno e a fonte do transistor quando este está totalmente ativado (saturado). Quanto menor este valor, menor o calor gerado sob passagem de corrente.

Qual a diferença funcional básica entre o chaveamento de um MOSFET Canal N e um Canal P?

O Canal N chaveia fechando o contato com o polo negativo (GND ou Low-Side) exigindo tensão positiva no gate. O Canal P chaveia fechando contato com o polo positivo (VCC ou High-Side) exigindo tensão baixa no gate.